杜学舰,男，1989年5月出生，博士，讲师。2017年毕业于山东大学微电子学院，获微电子学与固体电子学专业博士学位。主要从事宽禁带氧化物半导体材料与器件领域的相关研究，在Journal of Materials Science、Materials Letters、Journal of Crystal Growth等国际知名期刊发表SCI收录论文20余篇（其中第一作者SCI论文6篇）。目前主持山东省自然科学基金1项，山东师范大学青年科技项目培育基金1项。
招生方向
招生专业：微电子学与固体电子学、物理学
研究方向
宽禁带半导体材料与器件
科研项目
1.山东省自然科学基金项目，基于铝掺杂实现有效P型氧化锡外延单晶薄膜的制备及特性研究，2018.03-2020.12，主持
论文成果
1. Xuejian Du, Weiguang Wang, Mingxian Wang,Xianjin Feng,Jin Ma*,Effect of Sn content on the structural and photoelectric properties of IATO films, Journal of Materials Science, 2017, 52, 367-374.
2.Xuejian Du,Xianjin Feng*,Weiguang Wang, Caina Luan, Jin Ma*,Structural, electrical andopticalproperties ofternary Al2xIn2(1-x)O3 filmspreparedby metalorganicchemical vapordeposition,Materials Science Forum,2017, 898, 1796-1803.
3. Xuejian Du, Weiguang Wang, Mingxian Wang,Xianjin, Feng,Jin Ma*, In-Al-Sn oxide semiconducting films with high mobility prepared by metal-organic chemical vapor deposition,Materials Letters, 2016, 183, 359-361.
4. Xuejian Du, Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Jin Ma*,Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD,Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 27, 599-605.
5. Xuejian Du, Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Xianjin Feng, Hongdi Xiao, Jin Ma*,Preparation and characterization of Sn-doped β-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD,Journal of Materials Science, 2015, 50, 3252-3257.
6.Xuejian Du, Wei Mi, Caina Luan, Zhao Li, Changtai Xia, Jin Ma*,Characterization of homoepitaxial β-Ga2O3 films prepared by metal–organic chemical vapor deposition,Journal of Crystal Growth, 2014, 404, 75-79.
荣誉奖励
1.2017年山东省优秀毕业生
2. 2016年博士研究生国家奖学金
